1N5735D
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5735D中文资料参数规格
技术参数
容差 ±1 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 500 mW
稳压值 9.1 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
1N5735D引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5735D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5735D 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | DO-35 9.1V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： 1N5735C 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 完全替代 | DO-35 9.1V 0.5W1/2W | 1N5735D和1N5735C的区别 |
| 型号： 1N5999D 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 类似代替 | Diode Zener 9.1V 0.5W1/2W Do35 | 1N5735D和1N5999D的区别 |