1N5742D
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
容差 ±1 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 500 mW
稳压值 18 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
封装 DO-35-2
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N5742D 品牌: Microsemi 美高森美 封装: DO-35-2 | 当前型号 | DO-35 18V 0.5W1/2W | 当前型号 | |
型号: 1N5742C 品牌: 美高森美 封装: DO-204AH | 类似代替 | DO-35 18V 0.5W1/2W | 1N5742D和1N5742C的区别 | |
型号: 1N6006D 品牌: 美高森美 封装: DO-204AH | 功能相似 | Diode Zener 18V 0.5W1/2W Do35 | 1N5742D和1N6006D的区别 |