1N4754UR-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
容差 ±10 %
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
稳压值 39 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
安装方式 Surface Mount
封装 DO-213AB
封装 DO-213AB
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1N4754UR-1 | Microsemi 美高森美 | DO-213AB 39V 1W | 搜索库存 |