1N4749A G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N4749A G中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
测试电流 10.5 mA
稳压值 24 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-204AL
外形尺寸
封装 DO-204AL
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
1N4749A G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N4749A G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4749A G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204AL | 当前型号 | Diode Zener 24V 1W Do204al | 当前型号 |
| 型号： 1N4749A-TP 品牌： 美微科 封装： DO-41 24V | 功能相似 | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 1N4749A-TP 齐纳二极管, 1W, 24V, DO-41 | 1N4749A G和1N4749A-TP的区别 |