1N5540B

Microsemi(美高森美) 分立器件

无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

• 1N5518-1 THRU 1N5546B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437

• LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS

• LOW NOISE CHARACTERISTICS

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

• METALLURGICALLYBONDED

贸泽:
Zener Diodes Voltage Regulator

艾睿:
Zener Diode Single 20V 5% 100Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag

Verical:
Zener Diode Single 20V 5% 100Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag

1N5540B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 1 mA

稳压值 20 V

正向电压Max 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-213AA-2

外形尺寸

长度 3.71 mm

封装 DO-213AA-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

1N5540B引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
1N5540B	Microsemi 美高森美	无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW	搜索库存

替代型号1N5540B

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 1N5540B 品牌： Microsemi 美高森美封装： DO-213AA-2	当前型号	无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW	当前型号
型号： 1N6007B 品牌：美高森美封装： DO-35	类似代替	Diode Zener 20V 0.5W1/2W Do35	1N5540B和1N6007B的区别
型号： 1N4707DO35 品牌：美高森美封装： DO-35-2	功能相似	齐纳稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	1N5540B和1N4707DO35的区别
型号： 1N5250BDO-35 品牌：美高森美封装： DO	功能相似	齐纳稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	1N5540B和1N5250BDO-35的区别