1N5537B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5537B中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 417 mW
测试电流 1 mA
稳压值 17 V
正向电压Max 1.1V @200mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-204AH
外形尺寸
封装 DO-204AH
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
1N5537B引脚图与封装图
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在线购买1N5537B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5537B | Microsemi 美高森美 | 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | 搜索库存 |
替代型号1N5537B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5537B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204AH | 当前型号 | 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | 当前型号 |
| 型号： 1N5247BDO-35 品牌： 美高森美 封装： DO | 类似代替 | 齐纳稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode | 1N5537B和1N5247BDO-35的区别 |
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