1N4755A G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N4755A G中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.2V @200mA
稳压值 43 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AL
外形尺寸
封装 DO-204AL
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
1N4755A G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N4755A G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4755A G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204AL | 当前型号 | Diode Zener 43V 1W Do204al | 当前型号 |
| 型号： 1N4755A TR 品牌： Central Semiconductor 封装： DO-204AL | 类似代替 | Diode Zener 43V 1W Do41 | 1N4755A G和1N4755A TR的区别 |