容差 ±5 %
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 400 mW
稳压值 16 V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
封装 DO-35
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N3523A 品牌: Microsemi 美高森美 封装: DO-35 | 当前型号 | 齐纳稳压二极管 ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | 当前型号 | |
型号: 1N6005B 品牌: 美高森美 封装: DO-35 | 完全替代 | Diode Zener 16V 0.5W1/2W Do35 | 1N3523A和1N6005B的区别 | |
型号: 1N5536B 品牌: 美高森美 封装: DO-35-2 | 类似代替 | 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | 1N3523A和1N5536B的区别 | |
型号: 1N4703DO35 品牌: 美高森美 封装: DO | 类似代替 | 齐纳稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode | 1N3523A和1N4703DO35的区别 |