1N3506A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N3506A中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 400 mW
稳压值 3.3 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
1N3506A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N3506A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N3506A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | 齐纳稳压二极管 ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | 当前型号 |
| 型号： 1N746A-1 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 完全替代 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 1N3506A和1N746A-1的区别 |
| 型号： 1N4684DO35 品牌： 美高森美 封装： DO | 类似代替 | 稳压二极管 | 1N3506A和1N4684DO35的区别 |
| 型号： 1N5518BDO35 品牌： 美高森美 封装： DO | 类似代替 | 低电压稳压雪崩 Low Voltage Avalanche Zener | 1N3506A和1N5518BDO35的区别 |