1N5376B/TR8
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5376B/TR8中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.2V @1A
耗散功率 5 W
稳压值 87 V
额定功率Max 5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
1N5376B/TR8引脚图与封装图
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在线购买1N5376B/TR8
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5376B/TR8 | Microsemi 美高森美 | 87V 5W | 搜索库存 |
替代型号1N5376B/TR8
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5376B/TR8 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-18 | 当前型号 | 87V 5W | 当前型号 |
| 型号： 1N5376B 品牌： 美高森美 封装： T-18 87V | 完全替代 | 硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES | 1N5376B/TR8和1N5376B的区别 |
