1N5381BE3/TR8
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5381BE3/TR8中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.2V @1A
耗散功率 5 W
稳压值 130 V
正向电压Max 1.2V @1A
额定功率Max 5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N5381BE3/TR8引脚图与封装图
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在线购买1N5381BE3/TR8
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5381BE3/TR8 | Microsemi 美高森美 | 130V 5W | 搜索库存 |
替代型号1N5381BE3/TR8
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5381BE3/TR8 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-18 | 当前型号 | 130V 5W | 当前型号 |
| 型号： 1N5381BRLG 品牌： 安森美 封装： 017AA 130V | 功能相似 | 5W Surmetic，1N5364 至 1N5388 系列，ON Semiconductor完整的 5 W 系列齐纳二极管，带严格限制和增强型工作特性。### Zener Diodes, ON Semiconductor | 1N5381BE3/TR8和1N5381BRLG的区别 |
