1N5746B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5746B中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
稳压值 27 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
外形尺寸
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
1N5746B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5746B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5746B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35-2 | 当前型号 | 400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N3528A 品牌： 美高森美 封装： DO-204AH | 功能相似 | 齐纳稳压二极管 ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | 1N5746B和1N3528A的区别 |
| 型号： 1N5254BDO-35 品牌： 美高森美 封装： DO | 功能相似 | 齐纳稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode | 1N5746B和1N5254BDO-35的区别 |
| 型号： 1N4711DO35 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 齐纳稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode | 1N5746B和1N4711DO35的区别 |