1N5739B

Microsemi(美高森美) 分立器件

400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES

FEATURES

• ZENER VOLTAGE 4.7 TO 75V

• SMALL RUGGED DOUBLE SLUG CONSTRUCTION DO-35

• CONSTRUCTED WITH AN OXIDE PASSIVATED ALL DIFFUSED DIE

1N5739B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 900mV @10mA

稳压值 13 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

1N5739B引脚图与封装图

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1N5739B	Microsemi 美高森美	400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES	搜索库存

替代型号1N5739B

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 1N5739B 品牌： Microsemi 美高森美封装： DO-35	当前型号	400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES	当前型号
型号： 1N6003B 品牌：美高森美封装： DO-35	类似代替	Diode Zener 13V 0.5W1/2W Do35	1N5739B和1N6003B的区别
型号： 1N3521A 品牌：美高森美封装： DO-35	类似代替	齐纳稳压二极管 ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE	1N5739B和1N3521A的区别
型号： 1N5533B 品牌：美高森美封装： DO-204AH	功能相似	低反向漏电流特性 LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS	1N5739B和1N5533B的区别