容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
稳压值 9.1 V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
封装 DO-35-2
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N5735B 品牌: Microsemi 美高森美 封装: DO-35 | 当前型号 | 400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES | 当前型号 | |
型号: 1N5529BDO35 品牌: 美高森美 封装: DO | 类似代替 | 稳压二极管 Low Voltage Avalanche Zener | 1N5735B和1N5529BDO35的区别 | |
型号: 1N4103 品牌: 美高森美 封装: DO-204AH | 功能相似 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 1N5735B和1N4103的区别 | |
型号: 1N5999B 品牌: 美高森美 封装: DO-204AH | 功能相似 | Diode Zener 9.1V 0.5W1/2W Do35 | 1N5735B和1N5999B的区别 |