1N4733AE3/TR13
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N4733AE3/TR13中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
测试电流 49 mA
稳压值 5.1 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41-2
外形尺寸
长度 5.207 mm
封装 DO-41-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N4733AE3/TR13引脚图与封装图
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在线购买1N4733AE3/TR13
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4733AE3/TR13 | Microsemi 美高森美 | 稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode | 搜索库存 |
替代型号1N4733AE3/TR13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4733AE3/TR13 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204AL | 当前型号 | 稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode | 当前型号 |
| 型号： 1N4733AP/TR8 品牌： 美高森美 封装： DO-204AL | 完全替代 | DO-41 5.1V 1W | 1N4733AE3/TR13和1N4733AP/TR8的区别 |
| 型号： 1N4733APE3/TR12 品牌： 美高森美 封装： DO-41 | 完全替代 | DO-41 5.1V 1W | 1N4733AE3/TR13和1N4733APE3/TR12的区别 |
| 型号： 1N4733APE3/TR8 品牌： 美高森美 封装： DO-41 | 完全替代 | DO-41 5.1V 1W | 1N4733AE3/TR13和1N4733APE3/TR8的区别 |