1N5273B TR

Central Semiconductor 分立器件

1N5273B Series 120V ±5% 0.5W1/2W Through Hole Silicon Zener Diode - DO-35

- 齐纳 ±5% 通孔 DO-35

贸泽:
Zener Diodes 120V 500mW 5%

富昌:
1N5273B 系列 120 V ±5 % 500 mW 通孔硅齐纳二极管 - DO-35

1N5273B TR中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 1 mA

稳压值 120 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 5.08 mm

宽度 2.29 mm

高度 2.29 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

1N5273B TR引脚图与封装图

暂无图片

在线购买1N5273B TR

型号	制造商	描述	购买
1N5273B TR	Central Semiconductor	1N5273B Series 120V ±5% 0.5W1/2W Through Hole Silicon Zener Diode - DO-35	搜索库存