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1N4001B-G
Comchip Technology 上华科技 分立器件

Diode Gen Purp 50V 1A Do41

标准 1A 通孔 DO-41


得捷:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41


贸泽:
Rectifiers


艾睿:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41


1N4001B-G中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @1A

正向电流 1 A

正向电压Max 1.1V @1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-41-2

外形尺寸

封装 DO-41-2

物理参数

工作温度 55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

1N4001B-G引脚图与封装图
1N4001B-G引脚图

1N4001B-G引脚图

1N4001B-G封装图

1N4001B-G封装图

1N4001B-G封装焊盘图

1N4001B-G封装焊盘图

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