额定电压DC 160 V
工作电压 136 V
额定功率 1.00 kW
击穿电压 176 V
耗散功率 1 kW
钳位电压 230 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 1000 W
最小反向击穿电压 152 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA-2
长度 5.59 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.44 mm
封装 DO-214AA-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级,电信
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1KSMBJ160A引脚图
1KSMBJ160A封装图
1KSMBJ160A封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1KSMBJ160A | Littelfuse 力特 | 硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1KSMBJ160A 品牌: Littelfuse 力特 封装: DO-214AA 160V 1kW | 当前型号 | 硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor | 当前型号 | |
型号: 1KSMB160A 品牌: 力特 封装: DO-214AA | 类似代替 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | 1KSMBJ160A和1KSMB160A的区别 | |
型号: 1KSMBJ160 品牌: 力特 封装: | 功能相似 | 硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor | 1KSMBJ160A和1KSMBJ160的区别 | |
型号: 1KSMB160 品牌: 力特 封装: | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 136V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN | 1KSMBJ160A和1KSMB160的区别 |