1N6047
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
1N6047中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 19.8 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-13
外形尺寸
封装 DO-13
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
1N6047引脚图与封装图
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在线购买1N6047
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6047 | Microsemi 美高森美 | 双向瞬态吸收齐纳 BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER | 搜索库存 |
替代型号1N6047
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6047 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-13 | 当前型号 | 双向瞬态吸收齐纳 BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER | 当前型号 |
| 型号： ICTE-18C 品牌： Taitron 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, | 1N6047和ICTE-18C的区别 |
| 型号： ICTE-22C 品牌： Taitron 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, | 1N6047和ICTE-22C的区别 |
| 型号： SP6151 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18.2V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, G, 2 PIN | 1N6047和SP6151的区别 |
