1N6464US
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
1N6464US中文资料参数规格
技术参数
钳位电压 26.5 V
测试电流 5 mA
脉冲峰值功率 500 W
最小反向击穿电压 16.4 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SQ-MELF
外形尺寸
封装 SQ-MELF
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N6464US引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1N6464US
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6464US | Microsemi 美高森美 | 无空隙，密封的表面贴装单向瞬态 Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Unidirectional Transient | 搜索库存 |
替代型号1N6464US
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6464US 品牌： Microsemi 美高森美 封装： MELF | 当前型号 | 无空隙，密封的表面贴装单向瞬态 Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Unidirectional Transient | 当前型号 |
| 型号： JANTX1N6464US 品牌： 美高森美 封装： SQ-MELF | 完全替代 | E-MELF 15V 500W | 1N6464US和JANTX1N6464US的区别 |
| 型号： JANTXV1N6464US 品牌： 美高森美 封装： SQ-MELF-2 | 完全替代 | E-MELF 15V 500W | 1N6464US和JANTXV1N6464US的区别 |
| 型号： JAN1N6464US 品牌： 美高森美 封装： B_SQ._MELF | 完全替代 | TVS 500W B SQ-MELF SMD | 1N6464US和JAN1N6464US的区别 |