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1.5SMC82A
Bourns J.W. Miller 伯恩斯 主动器件

Diode TVS Single Uni-Dir 70.1V 1.5kW 2Pin SMC T/R

113V 夹子 13.5A Ipp TVS - 表面贴装型 DO-214AB(SMC)


得捷:
TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO214AB


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW 2-Pin SMC T/R


Verical:
TVS Diode Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW 2-Pin SMC T/R


1.5SMC82A中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 113 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 77.9 V

击穿电压 77.9 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AB

外形尺寸

长度 7.11 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.62 mm

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

1.5SMC82A引脚图与封装图
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型号: 1.5SMC82A

品牌: Bourns J.W. Miller 伯恩斯

封装: DO-214AB

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 70.1V 1.5kW 2Pin SMC T/R

当前型号

型号: 1.5SMC75AT3G

品牌: 安森美

封装: SMC

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1500W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> 16kV/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

1.5SMC82A和1.5SMC75AT3G的区别

型号: 1.5SMC82AT3G

品牌: 安森美

封装: SMC

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1.5SMC82A和1.5SMC82AT3G的区别

型号: SMCJ60A

品牌: 飞兆/仙童

封装: DO-214AB 60V 1.5kW

功能相似

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1.5SMC82A和SMCJ60A的区别