1KSMB8.2A
数据手册.pdfLittelfuse(力特)
主动器件
1KSMB8.2A中文资料参数规格
技术参数
工作电压 7.02 V
击穿电压 8.61 V
钳位电压 12.1 V
最大反向电压（Vrrm） 7.02V
测试电流 10 mA
脉冲峰值功率 1000 W
最小反向击穿电压 7.79 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.44 mm
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
1KSMB8.2A引脚图与封装图 
1KSMB8.2A引脚图
1KSMB8.2A封装图
1KSMB8.2A封装焊盘图
在线购买1KSMB8.2A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1KSMB8.2A | Littelfuse 力特 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | 搜索库存 |
替代型号1KSMB8.2A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1KSMB8.2A 品牌： Littelfuse 力特 封装： DO-214AA | 当前型号 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | 当前型号 |
| 型号： 1KSMBJ8.2A 品牌： 力特 封装： DO-214 | 类似代替 | 硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor | 1KSMB8.2A和1KSMBJ8.2A的区别 |
| 型号： 1KSMB8.2 品牌： 力特 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 7.02V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN | 1KSMB8.2A和1KSMB8.2的区别 |