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1N645
NTE Electronics 分立器件

NTE ELECTRONICS  1N645  标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 30 A

Diode Si 275V 0.4A 2-Pin DO-35


e络盟:
NTE ELECTRONICS  1N645  标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 30 A


Newark:
# NTE ELECTRONICS  1N645  Standard Power Diode, 600 V, 1 A, Single, 1.1 V, 30 A


MASTER:
Diode Si 225V 0.4A 2-Pin DO-35


Online Components:
Diode Si 275V 0.4A 2-Pin DO-35


1N645中文资料参数规格
技术参数

额定电流 450 mA

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A

正向电压Max 1.1 V

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

封装 DO-41

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

1N645引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
1N645 NTE Electronics NTE ELECTRONICS  1N645  标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 30 A 搜索库存
替代型号1N645
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1N645

品牌: NTE Electronics

封装: DO-41 450mA

当前型号

NTE ELECTRONICS  1N645  标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 30 A

当前型号

型号: 1N645-1

品牌: 美高森美

封装: DO-35

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