10ETF02S中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.2V @10A
反向恢复时间 145 ns
正向电流 10 A
正向电压Max 1.2V @10A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
10ETF02S引脚图与封装图
暂无图片
在线购买10ETF02S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 10ETF02S | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Switching 200V 10A 3Pin2+Tab D2PAK | 搜索库存 |
替代型号10ETF02S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 10ETF02S 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | Diode Switching 200V 10A 3Pin2+Tab D2PAK | 当前型号 |
| 型号： MBRB20200CT 品牌： 美台 封装： TO-263AB | 功能相似 | 肖特基二极管与整流器 20A Dual SBR 200Vrrm 170A 10Vf | 10ETF02S和MBRB20200CT的区别 |
| 型号： BYW29ED-200 品牌： We En Semiconductor 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V VRRM, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3/2 | 10ETF02S和BYW29ED-200的区别 |
| 型号： MURB1610CT 品牌： 固锝 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, 1 Element, 16A, 100V VRRM | 10ETF02S和MURB1610CT的区别 |