1N749ATR
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
1N749ATR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 4.30 V
容差 ±5 %
额定功率 400 mW
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
稳压值 4.3 V
正向电压Max 1.5V @200mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N749ATR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1N749ATR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N749ATR | Fairchild 飞兆/仙童 | Diode Zener Single 4.3V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 搜索库存 |
替代型号1N749ATR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N749ATR 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DO-35 4.3V | 当前型号 | Diode Zener Single 4.3V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 当前型号 |
| 型号： 1N5229BTR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 4.3V | 类似代替 | 500mW，1N52 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 1N749ATR和1N5229BTR的区别 |
| 型号： 1N749A-1 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 功能相似 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 1N749ATR和1N749A-1的区别 |
| 型号： 1N749A 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | Zener Diode 4.3V 0.5W1/2W 5% Do-35 Case | 1N749ATR和1N749A的区别 |