1N757ATR
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
1N757ATR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 9.10 V
容差 ±5 %
额定功率 400 mW
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 9.1 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 4.56 mm
宽度 1.91 mm
高度 1.91 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N757ATR引脚图与封装图
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在线购买1N757ATR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N757ATR | Fairchild 飞兆/仙童 | Diode Zener Single 9.1V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 搜索库存 |
替代型号1N757ATR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N757ATR 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DO-35 9.1V | 当前型号 | Diode Zener Single 9.1V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 当前型号 |
| 型号： 1N757A 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 9.1V 9.1V | 完全替代 | 齐纳二极管 Zeners | 1N757ATR和1N757A的区别 |
| 型号： 1N5239BTR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 9.1V | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5239BTR 单管二极管 齐纳, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C | 1N757ATR和1N5239BTR的区别 |
| 型号： JANTXV1N757A-1 品牌： 美高森美 封装： DO-204AH | 功能相似 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 1N757ATR和JANTXV1N757A-1的区别 |