额定电压DC 33.0 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 500 mW
稳压值 33 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
封装 DO-35
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1N5257B_T50A | Fairchild 飞兆/仙童 | Diode Zener Single 33V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N5257B_T50A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: DO-35 33V | 当前型号 | Diode Zener Single 33V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo | 当前型号 | |
型号: 1N5257B 品牌: 飞兆/仙童 封装: DO-35 33V | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5257B. 齐纳二极管 | 1N5257B_T50A和1N5257B的区别 | |
型号: 1N5257BTR 品牌: 飞兆/仙童 封装: DO-35 33V | 完全替代 | 500mW,1N52 系列,Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor | 1N5257B_T50A和1N5257BTR的区别 | |
型号: 1N6012B-TP 品牌: 美微科 封装: DO-35 | 功能相似 | DO-35 33V 0.5W1/2W | 1N5257B_T50A和1N6012B-TP的区别 |