1214-300
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1214-300中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1458 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
增益 7 dB
最小电流放大倍数hFE 20 @500mA, 5V
额定功率Max 88 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1458000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 3
封装 KT-55
外形尺寸
封装 KT-55
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1214-300引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1214-300
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1214-300 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 55KT 1458000mW | 当前型号 | Trans RF BJT 65V 17A 3Pin | 当前型号 |
| 型号： AM1214-300 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.4INCH, FM-2 | 1214-300和AM1214-300的区别 |