1214-32L

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans RF BJT NPN 50V 5A 3Pin Case 55AW-1

得捷:
RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1

贸泽:
RF Bipolar Transistors L-Band/Bipolar Radar Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 50V 5A 3-Pin Case 55AW-1

1214-32L中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125000 mW

输出功率 41 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

增益 7.8dB ~ 8.9dB

最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 5V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 55AW-1

外形尺寸

高度 4.7 mm

封装 55AW-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

1214-32L引脚图与封装图

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