10A060

Microsemi(美高森美) 分立器件

RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin

RF Transistor NPN 24V 3A 1GHz 21W Stud Mount 55FT

贸泽:
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor

艾睿:
Trans RF BJT 50V 3A 4-Pin Case 55FT-2

10A060中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 21000 mW

击穿电压集电极-发射极 24 V

增益 8dB ~ 8.5dB

最小电流放大倍数hFE 20 @400mA, 5V

额定功率Max 21 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 21000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 FT-55

外形尺寸

高度 16.64 mm

封装 FT-55

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

10A060引脚图与封装图

暂无图片

在线购买10A060

型号	制造商	描述	购买
10A060	Microsemi 美高森美	RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin	搜索库存