1N8032-GA

GeneSiC Semiconductor 分立器件

GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8032-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650V, 2.5A, 20NC, TO-257

得捷:
DIODE SIL CARB 650V 2.5A TO257

艾睿:
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-257 Isolated

Verical:
Rectifier Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-257 Isolated

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8032-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650 V, 2.5 A, 20 nC, TO-257

1N8032-GA中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.3V @2.5A

耗散功率 66000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电流 2.5 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 32 A

正向电压Max 1.3V @2.5A

正向电流Max 2.5 A

工作温度Max 210 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 250 ℃

耗散功率Max 66000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-257-3

外形尺寸

封装 TO-257-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

1N8032-GA引脚图与封装图

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1N8032-GA	GeneSiC Semiconductor	GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8032-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650V, 2.5A, 20NC, TO-257	搜索库存