1N5831R
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
正向电压 580mV @25A
正向电压Max 580mV @25A
安装方式 Chassis
封装 DO-4
封装 DO-4
工作温度 100 ℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅