1N5833
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
1N5833中文资料参数规格
技术参数
正向电压 550mV @40A
正向电流 40 A
正向电压Max 550 mV
封装参数
封装 DO-203AB
外形尺寸
封装 DO-203AB
物理参数
工作温度 100 ℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
1N5833引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5833
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5833 品牌： GeneSiC Semiconductor 封装： DO-203AB | 当前型号 | Diode Schottky 30V 40A 2Pin DO-5 | 当前型号 |
| 型号： 1400R 品牌： Dynex 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 1400V VRRM, Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN | 1N5833和1400R的区别 |