1N5552US
数据手册.pdf
Sensitron Semiconductor
电子元器件分类
1N5552US中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.2 V
反向恢复时间 2000 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
引脚数 2
封装 MELF-B
外形尺寸
高度 3.8 mm
封装 MELF-B
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
1N5552US引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5552US
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5552US 品牌： Sensitron Semiconductor 封装： | 当前型号 | Diode Switching 600V 3A 2Pin MELF-B | 当前型号 |
| 型号： JANTX1N5552US 品牌： Sensitron Semiconductor 封装： | 完全替代 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V VRRM, Silicon, MELF-B, 2 PIN | 1N5552US和JANTX1N5552US的区别 |
| 型号： JANTXV1N5552US 品牌： Sensitron Semiconductor 封装： | 完全替代 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V VRRM, Silicon, MELF-B, 2 PIN | 1N5552US和JANTXV1N5552US的区别 |