1N5819-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5819-1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 340mV @1A
正向电流 1 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 25 A
正向电压Max 340mV @1A
正向电流Max 1000 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
外形尺寸
封装 DO-41
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
1N5819-1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5819-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5819-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204 | 当前型号 | Diode Schottky 40V 1A 2Pin DO-41 | 当前型号 |
| 型号： SB140 品牌： Diotec Semiconductor 封装： DO-204 | 功能相似 | Diode Schottky 40V 1A Automotive 2Pin DO-15 | 1N5819-1和SB140的区别 |
| 型号： SB130 品牌： Diotec Semiconductor 封装： DO-204 | 功能相似 | Rectifier Diode, Schottky, 1Element, 1A, 30V VRRM, Silicon, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AC, 2Pin | 1N5819-1和SB130的区别 |
| 型号： 1N5819M 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF | 1N5819-1和1N5819M的区别 |