1N3768

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Switching 1kV 35A 2Pin DO-5

Diode Standard 1000V 35A Chassis, Stud Mount DO-5

得捷:
DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5

贸泽:
Rectifiers 1000V 35A Std. Recovery

艾睿:
Diode Switching 1KV 35A 2-Pin DO-5

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR 1N3768 Diode Module, 1 kV, 35 A, 1.2 V, Single

AMEYA360:
DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5

Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Std Recovery Std Config - 1000V - 35A - DO-5

1N3768中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.2V @35A

正向电流 35 A

正向电压Max 1.2 V

封装参数

安装方式 Chassis

封装 DO-203AB

外形尺寸

封装 DO-203AB

物理参数

工作温度 140 ℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

1N3768引脚图与封装图

暂无图片

在线购买1N3768

型号	制造商	描述	购买
1N3768	GeneSiC Semiconductor	Diode Switching 1kV 35A 2Pin DO-5	搜索库存

替代型号1N3768

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 1N3768 品牌： GeneSiC Semiconductor 封装： DO-203AB	当前型号	Diode Switching 1kV 35A 2Pin DO-5	当前型号
型号： NTE6002 品牌： NTE Electronics 封装： DO-5 40A 1.3V	功能相似	NTE ELECTRONICS NTE6002 整流桥	1N3768和NTE6002的区别
型号： 1N4529 品牌：美高森美封装： DO-5	功能相似	广颖电整流器 SILICON POWER RECTIFIER	1N3768和1N4529的区别
型号： S34100 品牌：美高森美封装： DO-5	功能相似	广颖电整流器 Silicon Power Rectifier	1N3768和S34100的区别