1N1188
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
正向电压 1.2V @35A
正向电流 35 A
正向电压Max 1.2 V
正向电流Max 35000 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Chassis
引脚数 2
封装 DO-5
封装 DO-5
工作温度 140 ℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N1188 品牌: GeneSiC Semiconductor 封装: DO-203AB | 当前型号 | Diode Switching 400V 35A 2Pin DO-5 | 当前型号 | |
型号: JAN1N1188 品牌: 美高森美 封装: DO-203AB | 功能相似 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 1N1188和JAN1N1188的区别 | |
型号: JANTXV1N1188 品牌: 美高森美 封装: DO-5 | 功能相似 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 1N1188和JANTXV1N1188的区别 |