1N1189R

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Switching 500V 35A 2Pin DO-5

标准型，反极性 600 V 35A 底座，接线柱安装 DO-5

得捷:
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

艾睿:
Diode Switching 500V 35A 2-Pin DO-5

AMEYA360:
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Std Recovery Rev Config - 600V - 35A - DO-5

1N1189R中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.2V @35A

正向电压Max 1.2V @35A

封装参数

安装方式 Chassis

封装 DO-5

外形尺寸

封装 DO-5

物理参数

工作温度 140 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

1N1189R引脚图与封装图

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