1N1189

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Switching 500V 35A 2Pin DO-5

标准 600 V 35A 底座，接线柱安装 DO-5

得捷:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

贸泽:
Rectifiers 500V 35A Std. Recovery

艾睿:
Diode Switching 500V 35A 2-Pin DO-5

AMEYA360:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Std Recovery Std Config - 600V - 35A - DO-5

1N1189中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.2V @35A

正向电流 35 A

正向电压Max 1.2V @35A

正向电流Max 35 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 2

封装 DO-203AB

外形尺寸

封装 DO-203AB

物理参数

工作温度 140 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

1N1189引脚图与封装图

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