1N1188R
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
1N1188R中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.2V @35A
正向电流 35 A
正向电压Max 1.2 V
正向电流Max 35 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 2
封装 DO-5
外形尺寸
封装 DO-5
物理参数
工作温度 140 ℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
1N1188R引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N1188R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N1188R 品牌： GeneSiC Semiconductor 封装： DO-5 | 当前型号 | Diode Switching 400V 35A 2Pin DO-5 | 当前型号 |
| 型号： JAN1N1188R 品牌： 美高森美 封装： DO-5 | 功能相似 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 1N1188R和JAN1N1188R的区别 |
| 型号： S30640 品牌： 美高森美 封装： DO-5 | 功能相似 | 广颖电整流器 Silicon Power Rectifier | 1N1188R和S30640的区别 |
| 型号： 1N1188AR 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 整流器 Rectifier | 1N1188R和1N1188AR的区别 |