1N5731D
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
容差 ±1 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 500 mW
稳压值 6.2 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
封装 DO-35-2
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 1N5731D 品牌: Microsemi 美高森美 封装: DO-204AH | 当前型号 | DO-35 6.2V 0.5W1/2W | 当前型号 | |
型号: 1N5731C 品牌: 美高森美 封装: DO-204AH | 类似代替 | 400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES | 1N5731D和1N5731C的区别 | |
型号: 1N5995D 品牌: 美高森美 封装: DO-204AH | 功能相似 | Diode Zener 6.2V 0.5W1/2W Do35 | 1N5731D和1N5995D的区别 |