1N3891R

GeneSiC Semiconductor 分立器件

整流器 200V 12A REV Leads Fast Recovery

Diode Standard, Reverse Polarity 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-4

得捷:
DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

贸泽:
整流器 200V 12A REV Leads Fast Recovery

艾睿:
Diode Switching 200V 12A 2-Pin DO-4

AMEYA360:
DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Fast Recovery Rev Config - 200V - 12A - DO-4

1N3891R中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.4V @12A

反向恢复时间 200 ns

正向电压Max 1.4V @12A

封装参数

安装方式 Chassis

封装 DO-4

外形尺寸

封装 DO-4

物理参数

工作温度 100 ℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

1N3891R引脚图与封装图

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