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1N3879R
GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Switching 50V 6A 2Pin DO-4

Features

• High Surge Capability

• Types up to 400 V VRRM

• Not ESD Sensitive


得捷:
DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4


艾睿:
Diode Switching 50V 6A 2-Pin DO-4


AMEYA360:
DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4


Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Fast Recovery Rev Config - 50V - 6A - DO-4


1N3879R中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.4V @6A

反向恢复时间 200 ns

正向电压Max 1.4V @6A

正向电流Max 6 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 2

封装 DO-203AA

外形尺寸

高度 22.79 mm

封装 DO-203AA

物理参数

工作温度 100 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

1N3879R引脚图与封装图
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