1N4730AGTR
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
1N4730AGTR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
测试电流 64 mA
稳压值 3.9 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
外形尺寸
封装 DO-41
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
1N4730AGTR引脚图与封装图
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在线购买1N4730AGTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4730AGTR | Microsemi 美高森美 | DO-41 3.9V 1W | 搜索库存 |
替代型号1N4730AGTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4730AGTR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | DO-41 3.9V 1W | 当前型号 |
| 型号： 1N4730ATR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-41 3.9V | 功能相似 | 1W，1N4728A - 1N4758A 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 1N4730AGTR和1N4730ATR的区别 |
| 型号： BZX85C3V9 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-41 3.9V 3.9V | 功能相似 | 齐纳二极管 1W，BZX85C 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 1N4730AGTR和BZX85C3V9的区别 |