1N5539B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5539B中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @200mA
稳压值 19 V
正向电压Max 1.1V @200mA
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AH
外形尺寸
封装 DO-204AH
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
1N5539B引脚图与封装图
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在线购买1N5539B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5539B | Microsemi 美高森美 | 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | 搜索库存 |
替代型号1N5539B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5539B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204AH | 当前型号 | 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | 当前型号 |
| 型号： 1N4706DO35 品牌： 美高森美 封装： DO | 完全替代 | DIODE ZENER 19V 0.5W1/2W DO35 | 1N5539B和1N4706DO35的区别 |
| 型号： 1N5249BDO-35 品牌： 美高森美 封装： DO | 类似代替 | 齐纳稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode | 1N5539B和1N5249BDO-35的区别 |