1N6382HE3/54
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
1N6382HE3/54中文资料参数规格
技术参数
工作电压 8 V
击穿电压 9.4 V
钳位电压 11.6 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 9.4 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AA
外形尺寸
封装 DO-201AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N6382HE3/54引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| 1N6382HE3/54 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R | 搜索库存 |