锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N755A-1

SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

• 1N746A-1 THRU 1N759-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/127

• 1N4370A-1 THRU 1N4372A-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/127

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

  Operating Temperature: -65°C to +175°C

  Storage Temperature: -65°C to +175°C

  DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C

  Power Derating: 4 mW / °C above +50°C

  Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum


贸泽:
稳压二极管 Voltage Regulator


艾睿:
Now you can operate a diode in its reverse breakdown region by using a voltage regulator 1N755A-1 zener diode from Microsemi. Its test current is 20 mA. Its maximum power dissipation is 500 mW. This device has a maximum regulator current of 50 mA. Its maximum leakage current is 2 μA. This zener diode has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C. It is made in a single configuration. This zener device has a nominal voltage of 7.5 V and a voltage tolerance of 5%.


1N755A-1中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 7.5 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.71 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

1N755A-1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1N755A-1
型号 制造商 描述 购买
1N755A-1 Microsemi 美高森美 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES 搜索库存
替代型号1N755A-1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1N755A-1

品牌: Microsemi 美高森美

封装: DO-35

当前型号

SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

当前型号

型号: 1N5733B

品牌: 美高森美

封装: DO-204AH

类似代替

400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES

1N755A-1和1N5733B的区别

型号: 1N5997B

品牌: 美高森美

封装: DO-204AH

类似代替

Diode Zener 7.5V 0.5W1/2W Do35

1N755A-1和1N5997B的区别

型号: 1N5236BDO-35

品牌: 美高森美

封装: DO-35 7.5V

功能相似

齐纳稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode

1N755A-1和1N5236BDO-35的区别