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199D107X96R3D1V1E3

199D107X96R3D1V1E3

数据手册.pdf
199D107X96R3D1V1E3中文资料参数规格
技术参数

电容 100 μF

容差 ±10 %

工作温度Max 125 ℃

额定电压 6.3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Radial

外形尺寸

高度 10.16 mm

封装 Radial

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

199D107X96R3D1V1E3引脚图与封装图
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199D107X96R3D1V1E3 Vishay Semiconductor 威世 199D 系列 100 uF ±10 % 6.3 V 径向 固体 电解质钽电容 搜索库存