1N5522B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
电子元器件分类
1N5522B中文资料参数规格
技术参数
测试电流 10 mA
稳压值 4.7 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
1N5522B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5522B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5522B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 低反向漏电流特性 LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS | 当前型号 |
| 型号： 1N5728B 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 完全替代 | 400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES | 1N5522B和1N5728B的区别 |
| 型号： 1N5728B-1 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | DO-35 4.7V 0.5W1/2W | 1N5522B和1N5728B-1的区别 |
