199D396X9010D1V1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 39.0 µF
容差 ±10 %
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D396X9010D1V1E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D396X9010D1V1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 199D 系列 39 uF ±10 % 10 V 径向 固体电解质钽电容 | 搜索库存 |